从二氰二胺的DMF溶液中电化学沉积氮化碳薄膜

• 作者: 吕强 张家涛 曹传宝 朱鹤孙 李超 项顼
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学沉积 氮化碳 CNx薄膜 电阻率
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 400-402
• 页数: 3页
• 分类号: O69|O484
• 字数: 3964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.04.015

摘要

首次采用二氰二胺的N,N二甲基甲酰胺(DMF)溶液做沉积液,用Si(100)和ITO导电玻璃做基底,在阴极上电化学沉积了CNx薄膜.X射线衍射(XRD)花样说明沉积的CNx薄膜为非晶结构.X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶转换红外光谱(FTIR)分析结果表明CNx样品薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.电阻率测试显示,样品具有较高的电阻率,Si(100)和ITO导电玻璃基底上氮化碳薄膜的电阻率值范围分别为1011～1012Ω*cm和1012～1013Ω*cm.用Si(100)、ITO导电玻璃两种衬底,CNx薄膜的沉积速率、N含量和电阻率不同,说明衬底的选择对沉积过程和沉积膜的性能有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李超	北京理工大学材料科学研究中心	47	380	11.0	17.0
3	曹传宝	北京理工大学材料科学研究中心	65	754	16.0	23.0
4	朱鹤孙	北京理工大学材料科学研究中心	81	1121	19.0	28.0
5	吕强	北京理工大学材料科学研究中心	13	198	9.0	13.0
8	项顼	北京理工大学材料科学研究中心	10	154	6.0	10.0
9	张家涛	北京理工大学材料科学研究中心	2	25	2.0	2.0