PIN-PT晶体铁电性和压电性的温度稳定性研究

• 作者: 徐海清 殷之文 潘晓明 罗豪甦 郭益平
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: PIN-PT单晶 压电 介电 温度稳定性
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1005-1009
• 页数: 5页
• 分类号: TM22
• 字数: 3022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.05.006

摘要

测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性.研究结果发现,<001>取向的PIN-PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ～1%,k33值最大可达到95%,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10%研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN-PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐海清	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	17	193	8.0	13.0
2	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	69	1195	20.0	33.0
3	罗豪甦	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	44	408	12.0	19.0
4	潘晓明	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	7	72	4.0	7.0
5	郭益平	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	4	24	2.0	4.0