MOVPE生产用高纯水中硅的去除

• 作者: 吴坚 孟广祯 徐志彪 闻瑞梅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机金属气相淀积 硅 连续电脱盐 超大规模集成电路
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 721-723
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 3471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.05.021

摘要

本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积(MOVPE)工艺中的影响和电脱盐(EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果,得出用EDI技术严格控制pH(8～11)时脱硅效果最好,能使高纯水中Si的浓度＜0.5μg/L,满足了MO源生产及MOVPE工艺用水中Si浓度<3μg/L的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闻瑞梅		24	151	8.0	11.0
2	徐志彪		4	61	4.0	4.0
3	孟广祯		2	14	2.0	2.0
4	吴坚		22	184	7.0	13.0