半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除

• 作者: 张亚峰 葛伟伟 邓守权 闻瑞梅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电脱盐EDI(Electrodeioniation)硅 硼 高纯水
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 197-199
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.052
• 字数: 2347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.02.002

摘要

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硅、硼条件.EDI进水SiO2浓度为1000μg/L,最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI进水硼浓度为50μg/L,最佳出水中硼含量为＜1μg/L.满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求(对于兆位电路硅要求＜3μg/L,硼要求＜1μg/L).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闻瑞梅	上海同济大学电子信息工程学院	2	11	2.0	2.0
2	邓守权	上海同济大学电子信息工程学院	1	9	1.0	1.0
3	张亚峰	上海同济大学电子信息工程学院	1	9	1.0	1.0
4	葛伟伟	上海同济大学电子信息工程学院	2	11	2.0	2.0