N+、O+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

• 作者: 刘相华 朱鸣 林成鲁 林青 谢欣云
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: N+、O+共注入,SIMON,SOI,IRIS
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速技术、射线技术及应用
• 页码范围: 212-216
• 页数: 5页
• 分类号: O481|O482
• 字数: 2832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.03.009

摘要

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林成鲁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
2	谢欣云	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	33	4.0	5.0
3	林青	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	10	89	6.0	9.0
4	朱鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	22	2.0	3.0
5	刘相华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室	3	0	0.0	0.0