Mg2Sn的Li嵌入形成能的从头计算

• 作者: 侯柱锋 吴良根 吴荣钦 朱梓忠
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 化学
• 关键词: Mg2Sn Li嵌入 形成能 从头计算
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 310-313
• 页数: 4页
• 分类号: O481|O646
• 字数: 2477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2003.03.010

摘要

Mg2Sn是近来很受重视的锂电池负极材料.使用基于混合基表示的第一原理赝势法,计算了Mg2Sn的各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构.讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质.计算表明,锂嵌入到主体材料的间隙位置时平均每个锂原子的形成能都大致在2.2 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱梓忠	厦门大学物理学系	50	186	7.0	10.0
2	侯柱锋	厦门大学物理学系	7	67	5.0	7.0
3	吴良根	厦门大学物理学系	3	9	2.0	3.0
4	吴荣钦	厦门大学物理学系	2	5	2.0	2.0