InSb的Li替位形成能的从头计算

• 作者: 侯柱锋 刘慧英 朱梓忠 杨勇 黄美纯
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: InSb Li替位形成能 从头计算
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 页码范围: 1521-1524
• 页数: 4页
• 分类号: O481|O646
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2004.08.023

摘要

采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构,讨论了锂替位的体积变化,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质.结果表明,对于闪锌矿结构的InSb,锂的各种替位形成能大致在每个锂原子-2.2 eV左右.该结果表明,不可能在嵌入初期Li插入到间隙位置之前发生替位反应,与实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨勇	厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室	86	684	15.0	24.0
2	刘慧英	集美大学计算科学与应用物理系	16	180	5.0	13.0
3	黄美纯	厦门大学物理系	35	129	7.0	8.0
4	朱梓忠	厦门大学物理系	50	186	7.0	10.0
5	侯柱锋	厦门大学物理系	7	67	5.0	7.0