InSb的Li嵌入电压轮廓曲线从头计算

• 作者: 侯柱锋 刘慧英 朱梓忠 杨勇 黄美纯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InSb Li嵌入 电压轮廓曲线 从头计算
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3868-3872
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.046

摘要

InSb是很有应用前途的Li离子电池非碳类负极材料.使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了hSb在Li嵌入时的125种不同情况下的总能、形成能以及平衡体积等,进而参考电压轮廓实验曲线,筛选出了若干条理论上可能的反应路径,得到了Li嵌入时的电压轮廓曲线.结果表明,从体InSb相到Li3Sb相之间没有中间经历五个相及五个相以上的反应路径;中间经历一个相的最可能反应过程为Li+In4Sb4→Li1In4Sb4,11Li+Li1In4Sb4→Li12Sb4+4In;中间经历四个相的仅有一条反应路径:Li+In4Sb4→Li1In4Sb4,2Li+Li1In4Sb4→Li3In4Sb4,4Li+Li3In4Sb4→Li7In3Sb4+In,3Li+Li7In3Sb4→Li10In2Sb4+In,2Li+Li10In2Sb4→Li12Sb4+2In.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨勇	厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室	86	684	15.0	24.0
2	刘慧英	集美大学计算科学与应用物理系	16	180	5.0	13.0
3	黄美纯	厦门大学物理系	35	129	7.0	8.0
4	朱梓忠	厦门大学物理系	50	186	7.0	10.0
5	侯柱锋	厦门大学物理系	7	67	5.0	7.0