改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

• 作者: 张庆全 竺士炀 黄宜平
• 来源期刊: 复旦学报(自然科学版)
• 学科: 数学
• 关键词: 多孔硅 计算机模拟 多孔硅生长模型
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 70-73,80
• 页数: 5页
• 分类号: O241.82
• 字数: 2661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2003.01.014

摘要

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟. 该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象. 二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.