碳化硅材料发光特性研究进展

• 作者: 孙海波 李玉国 王强 石礼伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 多孔碳化硅 离子注入 光电集成电路
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.24
• 字数: 5039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.02.005

摘要

碳化硅作为一种优秀的微电子材料,在高频、高温、大功率、强辐射环境中颇具应用潜力.然而由于其间接带隙的特点,碳化硅LED不能像氮化镓、磷化镓LED那样有效发光,因此人们竞相研究能提高碳化硅发光效率的方法,其中包括非晶碳化硅、多孔单晶碳化硅、用CVD方法制备的纳米碳化硅和用离子注入方法制备的多孔碳化硅.在最近几年,这些研究已取得巨大进展,从而使其成为适用于发展中的OEIC技术的颇具潜力的材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学半导体研究所	44	186	7.0	11.0
2	王强	山东师范大学半导体研究所	35	177	7.0	11.0
3	石礼伟	山东师范大学半导体研究所	17	139	7.0	11.0
4	孙海波	山东师范大学半导体研究所	19	104	6.0	9.0