高频H型放电离子源的场特性

• 作者: 丁伯南 唐平瀛 戴晶怡
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 高频离子源 击穿判据 场分布
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 932-936
• 页数: 5页
• 分类号: O536
• 字数: 3438字
• 语种: 中文

摘要

从Maxwell方程组出发,推导了高频H型放电离子源放电空间的场分布, 并采用Mafia软件进行了三维实体建模,计算了高频离子源放电击穿前和稳定工作后的电磁场分布,得到了高频离子源放电空间电磁场分布的直观图像.通过比较击穿前高频电场的轴向和环向分量,得出了轴向电场在高频离子源击穿中起主要作用的结论,并进而推导出了高频离子源的击穿判据,得出了气体击穿时离子源击穿电压和放电管内气压的关系,与实验结果符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁伯南		27	345	9.0	18.0
2	戴晶怡	中国工程物理研究院电子工程研究所	26	94	6.0	7.0
3	唐平瀛	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	31	4.0	5.0