NT50型中子管离子源放电特性研究

• 作者: 任万彬 刘伟波 刘林茂 李文生 谷德山 赵新辉
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: NT50中子管 潘宁离子源 放电特性
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TL8
• 字数: 2350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.03.005

摘要

通过NT50型中子管离子源放电特性实验,测量放电电流与离子源电压和管内压强的关系,做出三者对应关系的相应曲线,进行数据分析,得到放电规律,从而确定离子源结构,找出离子源的最佳工作状态和工作参数,提高中子管产品质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘林茂	东北师范大学辐射技术研究所	38	234	8.0	11.0
2	李文生	东北师范大学辐射技术研究所	11	26	3.0	4.0
3	谷德山	东北师范大学辐射技术研究所	41	239	8.0	12.0
4	任万彬	东北师范大学辐射技术研究所	3	35	3.0	3.0
5	赵新辉	东北师范大学辐射技术研究所	3	35	3.0	3.0
6	刘伟波	东北师范大学辐射技术研究所	1	5	1.0	1.0