低压化学气相淀积工艺技术

• 作者: 吴嘉丽
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低压化学气相淀积 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 296-297
• 页数: 2页
• 分类号: O484.1

摘要

低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。