ZnO压敏电阻器中的电容弥散

• 作者: 周方桥 唐大海 庄严 陈志雄
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻器 电容弥散 肖特基势垒 不均匀系统
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 3726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2003.12.015

摘要

基于ZnO压敏电阻器的电子态特征,界面肖特基势垒不仅对其导电性能,而且对其介电性能也有决定性的影响.分析了三种可能导致电容弥散现象的机制,它们都与界面势垒的性状密切相关,给出的一些估算结果,与实验所得规律和数据基本符合.依据有效媒质理论的分析,认为不一致的晶界势垒高度是导致低频端的电容量随频率降低反常地升高的原因之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周方桥	广州大学物理系	19	138	6.0	11.0
2	庄严		22	166	7.0	11.0
3	陈志雄	广州大学物理系	19	134	6.0	11.0
4	唐大海		3	39	3.0	3.0