n型掺杂半导体In/Nb-SrTiO3金属异质结变温J～V特性的研究

• 作者: 刘大猛 熊光成 连贵君
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 氧化物半导体/金属异质结 Schottky势垒 耗尽层模型
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 358-363
• 页数: 6页
• 字数: 3844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.015

摘要

利用Nb替代Ti的导电Nb-SrTiO3(Nb-STO)衬底我们制备得到了Nb-STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线.氧化物半导体Nb-STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述的理想半导体/金属二极管有很多不同.利用对数据拟合的结果,我们讨论了与理想半导体模型的差别.在Nb-STO作为新的氧化物半导体材料被引入器件时,偏离理想的半导体模型应该是正常的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	连贵君	北京大学物理学院	10	31	3.0	5.0
2	熊光成	北京大学物理学院	25	63	4.0	7.0
3	刘大猛	北京大学物理学院	1	0	0.0	0.0