金属In与掺Nb的SrTiO3金属半导体接触研究

• 作者: 王世奇 马玉彬
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Nb掺杂SrTiO3 金属-半导体接触
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 3144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2008.01.005

摘要

研究了金属 In 与掺不同 Nb 浓度的 SrTiO3(Nb-STO)衬底之间构成的金属半导体结(金-半结).测量了不同温度下的 I-V 曲线.在掺杂浓度为0.05 wt.%衬底构成的金-半结 I-V 曲线中,反向电压部分得到的有效因子 n 在1.05～1.10之间,且随温度变化很小,而正向的 n 很大,表明出势垒随着偏压的变化改变很大.金属 In 与 Nb-STO 衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05 wt.%和0.7 wt.%的掺杂情况下,结点都表现出非线性的 I-V 关系,均不能视为欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王世奇	北京大学物理学院	3	4	1.0	2.0
2	马玉彬	北京大学物理学院	5	14	2.0	3.0