Si3N4陶瓷材料的高温氧化理论及其抗氧化研究现状

• 作者: 冯建基 张长瑞 李国卿 牟宗信
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 氧化理论 表面改性
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.453
• 字数: 3214字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2004.04.004

摘要

从热力学、动力学和整体控速过程探讨了氮化硅陶瓷材料高温氧化理论和氧化性质,在空气中的热化过程, 因为PO2>Psio, 是纯化氧化过程,氧化产物为SiO2和N2.氧扩散是控制氧化速度的主导因素.氧在Al2O3中的高温扩散系数为10-15~10-14量级,而在SiO2中扩散系数为10-8量级,因此人们探索各种方法在Si3N4陶瓷表面改性以提高其抗氧化性能,其中, 制备金属氧化物的效果显著.在试验沉积Al2O3薄膜的基础上,讨论了Al2O3薄膜对氮化硅陶瓷抗氧化性能的作用,并且展望了精密氮化硅陶瓷表面形成具有良好结合力的金属氧化物-氧化硅混合结构表层的表面改性技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国卿	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	58	411	12.0	16.0
2	冯建基	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	30	3.0	3.0
3	牟宗信	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	38	217	10.0	12.0
4	张长瑞		3	32	3.0	3.0