SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

• 作者: 傅刚 孟凡明 方庆清 胡素梅
• 来源期刊: 安徽大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 33-37
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|TN379
• 字数: 3078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2004.03.008

摘要

研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3) +0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅刚	广州大学固体物理与材料研究实验室	53	174	8.0	11.0
2	胡素梅	茂名学院技术物理系	31	123	7.0	9.0
3	方庆清	安徽大学物理与材料科学学院	43	314	11.0	15.0
4	孟凡明	安徽大学物理与材料科学学院	46	205	9.0	12.0