(Sr2+,Bi3+,Si4+,Ta5+)掺杂的TiO2压敏陶瓷中Ta5+的研究

• 作者: 傅刚 周方桥 孟凡明 胡素梅
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 96-98
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|TN379
• 字数: 2733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.027

摘要

研究Ta2O5对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响,发现按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5配制的样品具有最低压敏电压(E10mA=1.2V·mm-1)、最大相对介电常数(εra=2.002×105)及较小非线性系数(a=2.6).考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求,Ta2 O5最佳掺杂量在0.085mol%与0.1mol%之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周方桥	广州大学固体物理与材料研究实验室	19	138	6.0	11.0
2	傅刚	广州大学固体物理与材料研究实验室	53	174	8.0	11.0
3	胡素梅	茂名学院技术物理系	31	123	7.0	9.0
4	孟凡明	安徽大学物理与材料科学学院	46	205	9.0	12.0