AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究

• 作者: 吴谊群 干福熹 顾冬红 黄伍桥
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜光学 高密度光存储 可擦重写存储 旋涂膜 AgTCNQ脂类衍生物
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 1164-1168
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4|TP333.4
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2004.09.003

摘要

报道了新型电子转移复合物AgTCNQ脂类衍生物:银-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷)的旋涂薄膜的光谱特征、薄膜的静态绿光可擦重写光存储性能,并研究了薄膜的可擦重写机理.结果表明该薄膜在388 nm和675 nm处有两个源于复合物中阴离子自由基TCNQ(C2H4COOCH3)2-中的电子跃迁的特征吸收峰;AgTCNQ酯类衍生物旋涂膜具有良好的绿光光存储性能,该薄膜在写入功率为9 mW,写入脉冲为80 ns,擦除功率为4 mW,擦除脉冲为500 ns时反射率衬比度大于15%,循环次数可达100次以上,并且没有出现任何疲劳现象.机理研究表明,AgTCNQ酯类衍生物与AgTCNQ有着相同的可逆光致变色机理,即在激光作用下因复合物中可逆电子转移引起薄膜光学性质的可逆变化,从而实现可擦重写光信息存储.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	顾冬红	中国科学院上海光学精密机械研究所	65	551	12.0	19.0
3	吴谊群	中国科学院上海光学精密机械研究所	42	237	9.0	13.0
4	黄伍桥	中国科学院上海光学精密机械研究所	6	6	2.0	2.0