正方体GaAs量子点电子特性的数值自洽求解

• 作者: 王建 邢达
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 量子点 自旋 密度泛函 有限差分
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 371-375
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.018

摘要

采用抛物势作为量子点对电子有效约束势,使用有限差分法对Schrodinger-Poisson方程进行离散化,根据自旋密度泛函,进行数值自洽求解,得到三维正方体GaAs量子点电子总基态能、电子密度等电子特性,并与相同条件(电子数、自旋、尺寸)的二维正方形GaAs量子点的电子密度进行了对比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢达	华南师范大学激光生命科学研究所	155	1314	19.0	26.0
2	王建	华南师范大学激光生命科学研究所	2	22	1.0	2.0