二维方形GaAs量子点电子特性的研究

• 作者: 赵铧 黄晓亚
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 方形量子点 化学势 密度泛函 五点差分
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 749-753
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1|O481.3
• 字数: 2644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2008.06.017

摘要

采用抛物线形限制势作为量子点对电子的有效束缚势,在密度泛函理论的基础上,使用五点差分法把二维方形量子点中电子的薛定谔方程离散化,然后用自洽迭代的方法求解二维方形量子点,得出绝对零度情况下二维方形量子点中处于基态电子的总能量,化学势和电子密度.并讨论了抛物线形限制势的强度对量子点中电子基态能量、化学协和电子密度的影响,得出了方形量子点多电子系统基态的一些性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵铧	重庆大学数理学院	17	53	5.0	6.0
2	黄晓亚	平顶山工学院基础部	1	1	1.0	1.0