内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Alx Ga1-x As二维电子气特性分析

• 作者: 倪海桥 喻颖 徐应强 牛智川 王广龙 王红培 高凤岐
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二维电子气 InAs量子点 载流子浓度 迁移率
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 432-437
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.207303

摘要

采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/Alx Ga1?x As二维电子气(2DEG)样品进行了生长。在样品生长过程中,分别改变掺杂浓度(Nd)、空间隔离层厚度(Wd)和AlxGa1?xAs中Al组分(xAl)的大小,并在双温(300 K,78 K)条件下对生长的样品进行了霍尔测量；结合测试结果,分别对Nd , Wd 及xAl 与GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG的载流子浓度和迁移率之间的关系规律进行了细致的分析讨论。生长了包含有低密度InAs量子点层的δ掺杂GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG样品,采用梯度生长法得到了不同密度的InAs量子点。霍尔测量结果表明,随着InAs量子点密度的增加, GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG的迁移率大幅度减小,实验中获得了密度最低为16×108/cm2的InAs量子点样品。实验结果为内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG的研究和应用提供了依据和参考。