p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

• 作者: 季海铭 曹玉莲 曹青 杨涛 陈良惠 马文全
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 最大模式增益 p型掺杂 InAs/GaAs量子点激光器
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1896-1900
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.081

摘要

对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良惠	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	59	338	11.0	15.0
2	杨涛	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	132	1269	18.0	32.0
3	曹青	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	15	218	5.0	14.0
4	季海铭	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	2	4	1.0	2.0
5	曹玉莲	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	15	78	5.0	8.0
6	马文全	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	8	43	5.0	6.0