内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

• 作者: 刘伟 徐萍 曾一平 曾宇昕 杨富华 章昊 谭平恒 边历峰 郑厚植
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs量子点 光致发光谱 调制掺杂 场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 238-242
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.061

摘要

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.