GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化

• 作者: 吕红亮 崔晓然 徐应强 李金伦 牛智川 苏向斌
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二维电子气 迁移率 高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE)
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 385-388
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.001

摘要

采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5 nm时,获得了室温电子迁移率为20 500 cm2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.