In x Ga1- x As盖层InAs量子点的发光性能研究

• 作者: 宫杰 杨丽丽 杨景海 范厚刚 赵庆祥
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: InAs量子点 界面缺陷 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 页码范围: 1926-1929
• 页数: 4页
• 分类号: O644|O324
• 字数: 2541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2005.10.030

摘要

用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点, 在InAs量子点上插入3 nm的In0.4Ga0.6As层, 可将量子点发射波长调谐到1 300 nm附近. 对样品进行氢等离子处理, 研究处理前后样品的InAs量子点光致发光(PL)强度的变化. 结果表明, 在InAs量子点与相邻层的界面上以及GaAs层中存在界面缺陷, 采用氢等离子处理可有效地抑制界面缺陷, 大幅度地提高发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫杰	吉林师范大学凝聚态物理研究所	13	28	3.0	4.0
3	杨景海	吉林师范大学凝聚态物理研究所	105	287	9.0	11.0
5	杨丽丽	吉林师范大学凝聚态物理研究所	26	61	5.0	6.0
10	范厚刚	吉林师范大学凝聚态物理研究所	14	36	3.0	5.0