InAs量子点光致发光效率的研究

• 作者: 刘伟 宫杰 杨丽丽 杨景海 范厚刚 赵庆祥
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs 量子点 光致发光效率
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 2349-2352
• 页数: 4页
• 分类号: O324
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2004.12.027

摘要

利用分子束外延技术制得InAs量子点样品, 采用分光光度法对样品的光致发光效率进行研究. 发现在InAs层和GaAs覆盖层之间插入隧道阻挡层, 当激发功率密度为60 W/cm2时, InAs量子点发射强度的增加量超过一个数量级. 这种光复合效率的增强是由于浸润层中的非辐射跃迁受到了抑制所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫杰	长春大学应用理学院	13	28	3.0	4.0
3	杨景海	吉林大学材料科学与工程学院	105	287	9.0	11.0
5	刘伟	吉林大学材料科学与工程学院	154	879	16.0	24.0
6	杨丽丽	吉林师范大学凝聚态物理研究所	26	61	5.0	6.0
11	范厚刚	吉林师范大学凝聚态物理研究所	14	36	3.0	5.0