测试结深的另一种方法

• 作者: 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 测试 结深 电容
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与制造
• 页码范围: 59-60
• 页数: 2页
• 分类号: TN407
• 字数: 1127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2004.01.016

摘要

传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0