直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究

• 作者: 向鹏飞 吴先球 孙辉 樊双莉 符斯列 蒙高庆 赵文锋 陈俊芳
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ICPECVD 氮化硅 薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: O434.14
• 字数: 2892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5463.2004.04.012

摘要

采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律, 弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴先球	华南师范大学物理与电信工程学院	125	760	15.0	24.0
2	陈俊芳	华南师范大学物理与电信工程学院	69	768	12.0	26.0
3	赵文锋	华南师范大学物理与电信工程学院	3	18	3.0	3.0
4	符斯列	华南师范大学物理与电信工程学院	25	77	5.0	7.0
5	樊双莉	华南师范大学物理与电信工程学院	3	38	3.0	3.0
6	孙辉	华南师范大学物理与电信工程学院	2	6	1.0	2.0
7	向鹏飞	华南师范大学物理与电信工程学院	4	13	3.0	3.0