2010年碳化硅器件将主宰功率半导体市场

• 来源期刊: 磨料磨具通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅器件 功率半导体 宽禁带 能带 散热性 间隔 场强 市场 迅速发展 世界
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 页码范围: 14
• 页数: 1页
• 分类号: TG333.93

摘要

计算机世界网消息，近年来，通态电阻低并且散热性好的碳化硅器件，迅速发展。碳化硅的能带间隔为硅的2．8倍(宽禁带)，达到3．09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5．3倍，高达3．2MV／cm，其导热率是硅的3．3倍，为49w／cm·k。