金刚石/碳化硅复合梯度膜制备研究

• 作者: 姜辛 石玉龙
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波等离子体化学气相沉积 金刚石 复合梯度膜
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 253-256
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 1413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.042

摘要

采用微波等离子化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石/碳化硅复合梯度膜.工作气体为H2,CH4和Si[CH3]4(四甲基硅烷,TMS),其中H2:CH4=100:0.6,Si[CH3]4为0%～0.05%,沉积压力为3300Pa,基体温度为700℃,微波功率为700W.基体为单晶硅,在沉积前用纳米金刚石颗粒处理.沉积后的样品经扫描电子显微镜(SEM),电子探针显微分析(EPMA),X射线能量损失分析(EDX)表明:沉积膜中的碳化硅含量是随Si[CH3]4流量的变化而改变.通过改变Si[CH3]4的流量可以制备金刚石/碳化硅复合梯度膜,且梯度膜中金刚石与复合膜过渡自然平滑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石玉龙	青岛科技大学材料与环境科学学院	25	315	9.0	17.0