硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究

• 作者: 史永胜 朱长纯 王琪琨
• 来源期刊: 纳米科技
• 关键词: 碳纳米管厚膜 涂敷 粘结剂 场发射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

该文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0～1.5 v/μm),场强为5 V/μm时,电流密度达到了50 μA/cm2.该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长,会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子.浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	王琪琨	西安交通大学电子与信信息工程学院	11	141	7.0	11.0
3	史永胜	西安交通大学电子与信信息工程学院	14	144	5.0	12.0