离子氮化温度对通道板表面化合物层的影响

• 作者: 吴放 赵红利
• 来源期刊: 汽车科技
• 学科: 交通运输
• 关键词: 离子氮化 通道板 化合物层
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺·材料
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: U464.137+1.06
• 字数: 1510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2550.2004.02.012

摘要

通道板离子氮化时化合物层不易得到有效控制,在确定了真空度、介质流量和氮化时间3个参量的条件下,研究了离子氮化温度对通道板表面化合物层深度和组成相的影响,通过工艺试验方法,确定了通道板最适宜的氮化温度,从而较好地保证了对化合物层的要求.