金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

• 作者: 刘祥林 王占国 王晓晖 董逊 黎大兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlGaN四元合金 金属有机物气相外延 高分辨X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 539-544
• 页数: 6页
• 分类号: TN304|O472
• 字数: 1327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.016

摘要

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	19	103	5.0	9.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	101	701	15.0	23.0
3	王晓晖	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	11	21	3.0	3.0
4	黎大兵	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	4	18	1.0	4.0
5	董逊	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	3	5	1.0	2.0