用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 浅沟道隔离 金属CMP 低k介质 CMP浆料 平坦化工艺
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文

摘要

现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减.获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求.这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃(SOG)材料.