硫化法制备FeS2薄膜晶体结构和表面特性的研究

• 作者: 万冬云 周春兰 张仁刚 张辉 王宝义 马创新 魏龙
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 热硫化 二硫化铁 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 939-942
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.12.014

摘要

采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200-400℃)硫化10 h得到FeS2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析.X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时易生成硫单质相,随温度的升高,S单质相部分参加反应变为FeS2相,FeS2的S2p峰出现在低能位置,而遗留的单质S的S2p束缚能位置不变.卢瑟福背散射(RBS)测得400℃时薄膜中元素Fe/S接近FeS2的理想化学计量比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
2	张辉	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	195	2226	23.0	39.0
3	马创新	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	11	27	3.0	4.0
4	周春兰	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	19	245	8.0	15.0
5	张仁刚	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	6	40	4.0	6.0
6	万冬云	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	5	32	3.0	5.0