用ECR-CVD方法制备SiO2薄膜

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子回旋共振 化学汽相沉积 氧化硅 薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 48-50,58
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2004.06.013

摘要

本文在低温下利用ECR-CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系.直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%.对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050 cm-1处出现Si-O-Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明显的Si-H和N-H吸收峰,表明薄膜具有很低的H含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
2	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	267	11.0	15.0
3	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0