ECR-CVD法制备BN薄膜

• 作者: 严辉 崔贲涛 张生俊 王波 陈光华
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 关键词: 电子回旋共振 cBN 薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（z2）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料
• 页码范围: 633-636
• 页数: 4页
• 字数: 2155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.024

摘要

cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料学院	80	638	11.0	23.0
3	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
4	张生俊	北京工业大学材料学院	7	43	4.0	6.0
5	崔贲涛	北京工业大学材料学院	1	0	0.0	0.0