Ka波段低噪声放大器的设计

• 作者: 刘洪民 张海英 李井龙 陈晓哲 韩振宇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波单片集成电路 Ka波段 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 389-392
• 页数: 4页
• 分类号: TN45
• 字数: 2343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.03.004

摘要

利用pHEMT工艺设计了一个Ka波段微波单片低噪声放大器电路.电路采用四级放大的结构形式.利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配.采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出1 dB压缩点等特性进行了研究.设计出一个增益大于20 dB,噪声系数小于1.0 dB,1 dB压缩点的输出功率在10 dBm以上,性能优异的LNA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	刘洪民	中国科学院微电子研究所	7	69	5.0	7.0
3	韩振宇	中国科学院微电子研究所	7	102	4.0	7.0
4	陈晓哲	中国科学院微电子研究所	7	26	3.0	5.0
5	李井龙	中国科学院微电子研究所	3	22	2.0	3.0