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摘要:
设计并实现了一种适用于X波段(11~12 GHz)的高性能低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器选用GaAs FET(MGF4941AL)低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件 ADS 仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11~12 GHz工作频带内的噪声系数小于2 dB,输入/输出驻波比(VSWR)小于2,功率增益大于30 dB,增益平坦度小于1.5 dB,适用于X波段接收机前端。
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文献信息
篇名 X波段高性能低噪声放大器的设计与实现
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 X波段 低噪声放大器 三级级联 噪声系数 VSWR 增益
年,卷(期) 2014,(11) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 73-76,80
页数 5页 分类号 TN722.1
字数 3682字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.11.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 葛俊祥 南京信息工程大学江苏省气象传感网技术工程中心 45 117 6.0 8.0
2 马志强 南京信息工程大学江苏省气象传感网技术工程中心 4 16 2.0 4.0
3 周蓓 南京信息工程大学江苏省气象传感网技术工程中心 2 7 1.0 2.0
4 许准 南京信息工程大学江苏省气象传感网技术工程中心 1 7 1.0 1.0
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增益
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电子元件与材料
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51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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1982
chi
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