Ka波段单片低噪声放大器

• 作者: 张海英 杨浩 郝明丽 陈立强 黄华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 微带电路
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1242-1245
• 页数: 4页
• 分类号: TN45
• 字数: 2101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.029

摘要

利用0.25 μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为:26.5～36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
3	郝明丽	中国科学院微电子研究所	20	65	5.0	6.0
4	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
5	黄华	中国科学院微电子研究所	18	454	7.0	18.0