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摘要:
首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术.后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战.
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文献信息
篇名 动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法
来源期刊 电子工业专用设备 学科
关键词 深槽 电容器 动态随机存取记意体 埋藏式连接器 埋藏式基板
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目 制造与工艺
研究方向 页码范围 56-61
页数 8页 分类号
字数 6585字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.05.012
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研究主题发展历程
节点文献
深槽
电容器
动态随机存取记意体
埋藏式连接器
埋藏式基板
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
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31
总被引数(次)
10002
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