谷胱甘肽自组装膜修饰电极用于Cr(Ⅵ)离子的测定

• 作者: 朱洁晶 杨培慧 蔡继业 赵秋香
• 来源期刊: 暨南大学学报(自然科学与医学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 铬 谷胱甘肽 修饰电极 循环伏安法
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 分类号: O657
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9965.2004.01.021

摘要

将谷胱甘肽(GSH)自组装膜修饰电极用于Cr(Ⅵ)的测定.实验表明,在0.02mol/LH2SO4+0.1 mol/L NaNO3溶液中,在+1.00～-0.40V电位范围内进行循环伏安扫描,于+0.29V(Vs.SCE)处获得铬的还原峰信号、+0.65 V(Vs,SCE)处获得铬的氧化峰信号.Cr(Ⅵ)在GSH/Au修饰电极上的电化学行为比裸金电极有明显的改善,峰电流更为灵敏,且还原峰电流随着Cr(Ⅵ)浓度的增加而增大,因此选择+0.29V的还原峰作为分析信号,运用1.5次微分线性扫描伏安法对铬进行了定量分析,线性范围为1.0×10-8～1.0×10-6mol/L,检测限为1.0×10-9 mol/L.将所建立的方法应用于湖水样品中铬含量的测定,以ICP进行对照实验,结果满意.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡继业	暨南大学化学系	224	1517	16.0	24.0
2	杨培慧	暨南大学化学系	82	927	15.0	27.0
3	赵秋香	暨南大学化学系	7	55	4.0	7.0
4	朱洁晶	暨南大学化学系	1	15	1.0	1.0