ZnO薄膜肖特基二极管的研制

• 作者: 叶志镇 李蓓 袁国栋 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Al/Si(100)衬底 基特基势垒
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 283-286
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.012

摘要

采用直流反应磁控溅射的方法,在Al/Si(100)衬底上沉积了ZnO晶体薄膜.利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极,制作了ZnO薄膜肖特基二极管.X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向.原子力显微分析表明:样品表面光洁平整,晶粒尺寸约100nm,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为0.4μm,载流子浓度为1.8×1015 cm-3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型.室温下的I-V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性.Pt与n型ZnO接触的势垒高度为0.54eV.文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	李蓓	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	51	4.0	7.0
5	袁国栋	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	59	5.0	7.0