掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

• 作者: 吕海涛 孙军生 张恩怀 张维连 牛新环
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉法 硅锗体单晶 氧碳含量 FTIR谱图
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 792-796
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.022

摘要

用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学半导体材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	孙军生	河北工业大学半导体材料研究所	11	87	5.0	9.0
3	张恩怀	河北工业大学半导体材料研究所	8	66	4.0	8.0
4	牛新环	河北工业大学半导体材料研究所	69	406	10.0	17.0
5	吕海涛	河北工业大学半导体材料研究所	5	59	3.0	5.0