Si衬底上SrMnO3缓冲层对La0.8Sr0.2MnO3薄膜择优取向生长的影响

• 作者: 严辉 于敦波 张深根 李彤 杜永胜 王波 许仕龙
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: LSMO薄膜 SMO缓冲层 择优取向生长
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 963-966
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.001

摘要

利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积得到了(110)择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响.结果表明:当沉积温度为600℃时,增加缓冲层SMO的厚度,LSMO薄膜的取向性变好;当缓冲层SMO厚度为45 nm时,LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征.进一步的工作证实:提高沉积温度,能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小,并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度;当沉积温度为800℃时,由于类退火作用的存在,厚度为10 nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室	80	638	11.0	23.0
3	李彤	北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室	8	25	3.0	4.0
4	许仕龙	北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室	3	5	2.0	2.0
5	杜永胜	北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室	2	3	1.0	1.0