隧道结在多结太阳电池中的应用

• 作者: 张永刚 朱诚 李爱珍
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧道结 隧穿电流 串接太阳电池 I-V特性
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 526-529
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 2845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.021

摘要

主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及不同的掺杂浓度对于其I-V特性的影响,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线.结果表明: 随着掺杂浓度的提高,峰值电流密度逐渐增大; 对于GaInP/GaAs太阳电池,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
2	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
3	朱诚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	51	3.0	3.0