铟锡氧化物导电玻璃上高氮含量氮化碳薄膜的电化学沉积及其性能研究

• 作者: 曹传宝 朱鹤荪 李超
• 来源期刊: 北京理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化碳 电化学沉积 光学能隙
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 化工与材料科学
• 页码范围: 86-89
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0645.2004.01.019

摘要

在铟锡氧化物导电玻璃基底上,采用二氰二胺(C2N 4H4)的乙腈饱和溶液电化学沉积高氮含量的CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜主要由C,N组成,最高nN/nC=1.22(接近C3N4中氮与碳的化学计量数比1.33).傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明碳和氮主要以C-N, CN 的形式形成共价键.样品具有较宽的带隙,在50 ℃,1 250 V下得到的薄膜样品的光学能隙为2.32 eV.实验结果表明,电压在1 000～1 300 V、温度在30～50 ℃时能得到氮含量较高的薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李超	北京理工大学材料科学与工程学院	47	380	11.0	17.0
3	曹传宝	北京理工大学材料科学与工程学院	65	754	16.0	23.0
4	朱鹤荪	北京理工大学材料科学与工程学院	17	316	9.0	17.0