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摘要:
随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格.当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm2.传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战.单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒.介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果.湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80 mm磨料微粒.
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文献信息
篇名 300 mm圆片后抛光清洗--满足纳米微粒去除的挑战
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 300 mm圆片 湿式批量清洗 兆声单片清洗,纳米微粒去除
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目 新设备与新技术
研究方向 页码范围 51-56
页数 6页 分类号 TN305.2
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
300 mm圆片
湿式批量清洗
兆声单片清洗,纳米微粒去除
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
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31
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10002
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